背景:
氧化硅和氧化鍺(SiOx和GeOx)納米結(jié)構(gòu)具有潛在的高能量密度、大鋰化容量(~10X碳)、低毒性、低成本和高熱穩(wěn)定性,是用于儲(chǔ)能應(yīng)用的有前途的材料。這項(xiàng)研究報(bào)告了一種通過(guò)光子固化實(shí)現(xiàn)SiOx和GeOx納米結(jié)構(gòu)控制合成的獨(dú)特方法。與快速熱退火等傳統(tǒng)方法不同,脈沖光子燒結(jié)過(guò)程中的淬滅發(fā)生得很快(亞毫秒),從而可以將亞穩(wěn)態(tài)捕獲以形成獨(dú)特的相和納米結(jié)構(gòu)。我們結(jié)合光物理、光化學(xué)定律和模擬的薄膜溫度分布,探索了光子燒結(jié)的可能潛在機(jī)制。結(jié)果表明,噴涂的0.1M摩爾濃度Si和Ge乙酰乙酸酯前體溶液在總通量80J/cm2下進(jìn)行光子燒結(jié)可以產(chǎn)生GeOx和SiOx納米結(jié)構(gòu)。由于光子燒結(jié)過(guò)程中薄膜中光引發(fā)的化學(xué)反應(yīng),合成的納米結(jié)構(gòu)被酯官能化。結(jié)果還表明,如果通過(guò)增加脈沖數(shù)來(lái)增加總通量,納米顆粒尺寸將從~48nm變?yōu)閪11nm。這些結(jié)果對(duì)大規(guī)模合成Ge和Si氧化物納米結(jié)構(gòu)材料做出了重要貢獻(xiàn),而這對(duì)于下一代儲(chǔ)能設(shè)備必不可少
文獻(xiàn)介紹:
與本體材料特性相比,納米粒子具有可調(diào)的獨(dú)特特性,因而在生物、能源應(yīng)用和電子應(yīng)用等眾多領(lǐng)域具有極高的應(yīng)用價(jià)值。納米粒子的獨(dú)特特性包括高表面體積比、化學(xué)、電、磁和光學(xué)特性。此外,這些特性可以通過(guò)控制納米粒子的尺寸、形狀和相來(lái)改變。表1總結(jié)了納米粒子的尺寸相關(guān)特性和應(yīng)用。半導(dǎo)體納米粒子因其獨(dú)特的光學(xué)和電子特性以及其他不同的應(yīng)用而特別令人感興趣。Si和Ge納米粒子可用作鋰離子電池的陽(yáng)極材料、金屬氧化物半導(dǎo)體(MOS)存儲(chǔ)器件中的電流泄漏預(yù)防劑以及改善材料的光穩(wěn)定性。
C、Si和Ge等第14列(IVA)納米粒子因其高天然豐度、獨(dú)特的光學(xué)特性、表面化學(xué)和低毒性而成為有前途的半導(dǎo)體納米粒子。Si納米粒子因其卓越的物理和化學(xué)特性為其在電子、傳感器、生物醫(yī)學(xué)和儲(chǔ)能領(lǐng)域的應(yīng)用開(kāi)辟了一個(gè)新時(shí)代。Si具有間接帶隙,并且在較小的玻爾半徑(~4納米)下表現(xiàn)出有希望的量子限制。硅是鋰離子電池的一個(gè)有希望的候選材料,因?yàn)樗睦碚撊萘扛哌_(dá)約3580mAhg-1。最近,Koki等人報(bào)道了用于鋰離子電池的低溫納米結(jié)構(gòu)硅薄膜,其在0.1C速率下容量增強(qiáng)至3200mAhg-1,可用作可充電電池的柔性陽(yáng)極。鍺基納米粒子還具有有趣的特性,例如高折射率、窄帶隙、高離子插層能力、低毒性和高電荷載流子遷移率。鍺納米粒子因其在儲(chǔ)能、生物成像和光電子等領(lǐng)域的廣泛應(yīng)用而受到研究領(lǐng)域的關(guān)注。與大多數(shù)其他半導(dǎo)體納米粒子不同,由于鍺納米粒子的帶隙小和玻爾半徑大,它們?cè)谙鄬?duì)較大的粒徑下表現(xiàn)出量子限制效應(yīng)。Ge納米粒子是一種成本低廉、相對(duì)來(lái)說(shuō)更環(huán)保的半導(dǎo)體納米粒子。這些特性以及Ge納米粒子良好的電子特性使其成為儲(chǔ)能和轉(zhuǎn)換設(shè)備的有希望的候選材料,例如加工用于太陽(yáng)能電池的CuInSe2、場(chǎng)效應(yīng)晶體管、加工納米結(jié)構(gòu)TiO2薄膜、焊接聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯和聚酰亞胺箔、非晶硅的再結(jié)晶、石墨烯墨水的導(dǎo)電性增強(qiáng)、光電探測(cè)器以及生物成像和閃存設(shè)備。表2總結(jié)了Si和Gen納米粒子的性質(zhì)和應(yīng)用
半導(dǎo)體納米粒子的合成方法主要分為兩類:溶液相化學(xué)方法和基于蒸汽的技術(shù)??捎糜诤铣砂雽?dǎo)體納米粒子的技術(shù)包括溶膠-凝膠處理、化學(xué)氣相沉積、噴霧熱解、微乳液、冷凝、熱蒸發(fā)、濺射和研磨。
納米粒子研究領(lǐng)域的研究工作主要集中在開(kāi)發(fā)能夠精確控制納米粒子的尺寸、成分、表面化學(xué)和形態(tài)的合成技術(shù)。微波退火、光化學(xué)活化和基于閃光燈的脈沖光工藝是處理氧化物半導(dǎo)體最流行的方法?;陂W光燈的工藝也稱為光子固化。光子固化是一種多功能的加工方法,可在高溫下瞬間處理薄膜。在光子固化中,加熱間隔非常短(約1-2毫秒),導(dǎo)致非平衡加熱,并從薄膜頂部到基板底部形成熱梯度。
光子固化是一種低體積熱暴露燒結(jié)方法,該技術(shù)之所以新穎,是因?yàn)樗軌蛟诘蜏鼗迳蠈⒉牧蠠崽幚碇两咏?/span>1,200°C的溫度,而這些材料在高于400°C的溫度下會(huì)分解。這種新技術(shù)允許將高強(qiáng)度光照射到大面積區(qū)域,在幾分之一秒內(nèi)固化材料,因此適合卷對(duì)卷工業(yè)規(guī)模方法。由于速度快,光子固化可用于在不到2毫秒的時(shí)間內(nèi)處理大面積區(qū)域(每10厘米長(zhǎng)的氙氣閃光燈約200平方厘米),用于納米材料合成。光子固化作為一種處理材料的獨(dú)立方法以及輔助各種制造技術(shù),正在迅速引起人們的關(guān)注。例如,納米粒子的燒結(jié)和功能化、低溫基底上高溫薄膜的加工、有機(jī)電池應(yīng)用的網(wǎng)格加工、有機(jī)場(chǎng)效應(yīng)晶體管電介質(zhì)的合成、金屬氧化物薄膜晶體管的制造、氧化物電子器件和柔性電子器件的加工,都已利用光子固化技術(shù)實(shí)現(xiàn)。光子固化已用于納米粒子的燒結(jié),通過(guò)加熱納米粒子至其擴(kuò)散形成薄膜的程度。本文我們報(bào)道了光子固化一步合成硅和鍺氧化物納米粒子的方法,這也為擴(kuò)大規(guī)模提供了一種簡(jiǎn)便的方法。圖1顯示了通過(guò)光子固化加工薄膜的示意圖。示意圖顯示,前體溶液噴灑在基底上,然后進(jìn)行光子固化,然后進(jìn)行表征。通過(guò)將脈沖數(shù)從10變?yōu)?0,改變了總能量密度(從80J/cm2到160J/cm2)。整個(gè)過(guò)程不到30分鐘(包括薄膜制備)。在光子固化過(guò)程中,前體經(jīng)歷光化學(xué)和熱過(guò)程,然后快速淬火,從而改變薄膜中材料的結(jié)構(gòu)和形態(tài)。本研究合成的硅和鍺基納米結(jié)構(gòu)在表面被氧化,因此命名為硅和鍺氧化物(SiOx和GeOx)納米結(jié)構(gòu)。
當(dāng)前研究中Si和Ge前驅(qū)體的光子固化為開(kāi)發(fā)新型、經(jīng)濟(jì)且工業(yè)規(guī)模的納米粒子合成技術(shù)提供了可能性。我們?cè)?00V的電壓下合成了10個(gè)脈沖的氧化硅和氧化鍺納米粒子,并擴(kuò)展了研究范圍,觀察了脈沖數(shù)對(duì)納米粒子合成的影響。研究表明,增加脈沖數(shù)可產(chǎn)生尺寸更小、密度更低的非團(tuán)聚納米粒子。
引用:https://chemistry-europe.onlinelibrary.wiley.com/doi/10.1002/open.202300260
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